El capítulo analiza los óxidos de cobre estequiométricos establecidos, óxido cuproso, Cu20 y óxido cúprico, CuO, que forman celdas unitarias cúbicas y monoclínicas en sus respectivas formas cristalinas de equilibrio. El diagrama de fases del Cu-O es marcadamente dependiente de la presión, de manera que una capa de CuO se transforma en Cu20 y finalmente en cobre metálico cuando se coloca en el vacío. El óxido cuproso es un semiconductor con un band gap directo de 2,17 eV. Es objeto de varios estudios básicos relativos a: la absorción de la brecha de banda óptica, su dependencia de la temperatura y la interpretación del espectro de líneas de absorción a baja temperatura por debajo de la brecha como transiciones a niveles excitónicos. El carácter parcialmente iónico del enlace provoca estructuras en las funciones ópticas en la región espectral del infrarrojo. El modo infrarrojo activo más fuerte, correspondiente a la región de los rayos residuales, se sitúa en 609 cm-1. El reciente descubrimiento de los superconductores de alta temperatura el óxido de cobre juega un papel clave en la formación de pares de cobre.