Il capitolo discute gli ossidi di rame stoicometrici stabiliti, l’ossido rameoso, Cu20 e l’ossido rameico, CuO, che formano celle unitarie cubiche e monocliniche nelle loro rispettive forme cristalline di equilibrio. Il diagramma di fase Cu-O è marcatamente dipendente dalla pressione, in modo tale che uno strato di CuO si trasforma in Cu20 e infine in rame metallico se posto nel vuoto. L’ossido rameico è un semiconduttore con un band gap diretto di 2,17 eV. È l’oggetto di diversi studi di base riguardanti: l’assorbimento ottico del band gap, la sua dipendenza dalla temperatura, e l’interpretazione dello spettro delle linee di assorbimento a bassa temperatura sotto il gap come transizioni a livelli eccitonici. Il carattere parzialmente ionico del legame causa strutture nelle funzioni ottiche nella regione spettrale dell’infrarosso. Il modo infrarosso-attivo più forte, corrispondente alla regione dei raggi residui, si trova a 609 cm-1. La recente scoperta dei superconduttori ad alta temperatura l’ossido di rame gioca un ruolo chiave nella formazione di coppie di cooperazione.